VS-80RIA120PBF, Thyristor 1200V, 80A 120mA
![Фото 1/3 VS-80RIA120PBF, Thyristor 1200V, 80A 120mA](https://static.chipdip.ru/lib/852/DOC046852661.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762024.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/852/DOC046852664.jpg)
14 900 руб.
1 шт.
на сумму 14 900 руб.
Плати частями
от 3 725 руб. × 4 платежа
от 3 725 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Thyristors
A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material.
Технические параметры
Maximum Gate Trigger Current | 120mA |
Maximum Gate Trigger Voltage | 2.5V |
Maximum Holding Current | 200mA |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Thread Mount |
Package Type | TO-94 |
Peak On-State Voltage | 1.6V |
Pin Count | 3 |
Rated Average On-State Current | 80A |
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage | 1200V |
Repetitive Peak Off-State Current | 15mA |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 1200V |
Surge Current Rating | 1990A |
Thyristor Type | PCT |
Average Forward Current | 80А |
Thyristor Mounting | Stud Mount |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt | 2.5В |
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt | 120мА |
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm | 1.2кВ |
Стиль Корпуса Тиристора | TO-209AC |
Тип SCR Модуля | Одиночный Кремниевый Тиристор |
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms) | 125А |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 181 КБ
Datasheet 80RIA120PBF
pdf, 184 КБ
TS106-142
pdf, 141 КБ
Отечественные тиристоры и симисторы мощные
pdf, 515 КБ
Тиристоры отечественные
pdf, 384 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Тиристоры»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров