F3L100R07W2E3B11BOMA1, Trans IGBT Module N-CH 650V 117A 300W 14-Pin EASY2B-2 Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 760 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
13 580 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 31 520 руб.
Плати частями
от 7 880 руб. × 4 платежа
от 7 880 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon IGBT module has 650 V VCES, 100 A continuous DC collector current 3 level phase leg phase leg IGBT module with TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 diode, NTC and Press FIT Contact Technology.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 117 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | Module |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
