LM2510AMR/NOPB, IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 230 руб.
от 5 шт. —
980 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 230 руб.
Плати частями
от 309 руб. × 4 платежа
от 309 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Integrated circuits\Analog and mixed integrated circuits\MOSFET/IGBT drivers
Технические параметры
| Case | SO8-EP |
| Impulse rise time | 430ns |
| Kind of integrated circuit | gate driver, high-/low-side |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
| Mounting | SMD |
| Number of channels | 2 |
| Operating temperature | -40…125°C |
| Output current | -3…3A |
| ProtectionOCP - Over Current Protection OPP - Over Power Protection OVP - Unde | undervoltage UVP |
| Pulse fall time | 260ns |
| Topology | MOSFET half-bridge |
| Type of integrated circuit | driver |
| Voltage class | 80V |
| Вес, г | 0.08 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
