FDD8896, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 94А, 80Вт, DPAK, PowerTrench® "ON Semi"
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
74 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
220 руб.
1 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8010255045
Артикул: FDD8896
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 94А, 80Вт, DPAK, PowerTrench®
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 94 A |
Pd - рассеивание мощности | 80 W |
Qg - заряд затвора | 60 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.7 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 106 ns |
Время спада | 41 ns |
Высота | 2.39 mm |
Длина | 6.73 mm |
Другие названия товара № | FDD8896_NL |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PowerTrench |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | FDD8896 |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 53 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 94 A |
Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 80 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | PowerTrench |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Width | 6.22mm |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.