FF150R12KE3GB2HOSA1 Series IGBT Module, 225 A 1200 V, 7-Pin 62MM Module, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 41 020 руб.
Плати частями
от 10 255 руб. × 4 платежа
от 10 255 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Series |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 225 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 780 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | 62MM Module |
| Pin Count | 7 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 359 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FF150R12KE3G_B2
pdf, 393 КБ
Datasheet FS25R12W1T4B11BOMA1
pdf, 208 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
