TF412ST5G N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin SOT-883
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
83 руб.
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 4 150 руб.
Плати частями
от 1 039 руб. × 4 платежа
от 1 039 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\JFETs
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Gate On-Capacitance | 4pF |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 1.2 to 3mA |
| Maximum Drain Gate Voltage | -30V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 100 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-883 |
| Pin Count | 3 |
| Source Gate On-Capacitance | 4pF |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 0.68mm |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TF412ST5G
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
