IXGT72N60A3, Транзистор IGBT, GenX3™, 600В, 72А, 540Вт, TO268
![IXGT72N60A3, Транзистор IGBT, GenX3™, 600В, 72А, 540Вт, TO268](https://static.chipdip.ru/lib/400/DOC035400054.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 360 руб.
от 3 шт. —
2 660 руб.
от 10 шт. —
2 140 руб.
1 шт.
на сумму 3 360 руб.
Плати частями
от 840 руб. × 4 платежа
от 840 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO268 |
Collector current | 72A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Gate charge | 230nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
Power dissipation | 540W |
Pulsed collector current | 400A |
Technology | GenX3™ |
Turn-off time | 885ns |
Turn-on time | 61ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 4.1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов