P0R5B60HP2-5071, Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 500мА; Idm: 2А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2999 шт., срок 6 недель
260 руб.
от 3 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
125 руб.
от 25 шт. —
112.03 руб.
1 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | FB(TO252AA) |
| Drain current | 0.5A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 4.3nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 10Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 35W |
| Pulsed drain current | 2A |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.36 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
