IRF7341PBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
![Фото 1/3 IRF7341PBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/668/DOC034668518.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126220.jpg)
203 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
150 руб.
1 шт.
на сумму 150 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8010523139
Артикул: IRF7341PBF
Бренд: Нет торговой марки
Описание
MOSFET, DUAL N CH, 55V, 4.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
Заряд | затвора(Qg)-24 нКл |
Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-55 В; затвор-исток(Vgs)±20 В |
Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-4.7 A |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-2 Вт |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В |
Описание | 55V, 4.7A |
Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-43 мОм |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, 2 N-канала |
Упаковка | REEL, 4000 шт. |
Вес, г | 0.166 |
Техническая документация
IRF7341
pdf, 146 КБ
Документация
pdf, 112 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.