MMBT3904 1AM, 40V 200mW 200mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
170200 шт., срок 6-8 недель
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 150 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 2500 шт. —
1 руб.
от 3000 шт. —
0.72 руб.
150 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
40V 200mW 200mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 5.0mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1.0V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1725 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
