MMBT3946DW, 40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN+PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
90000 шт., срок 6-8 недель
7 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
6 руб.
от 500 шт. —
4.80 руб.
от 3000 шт. —
4.07 руб.
50 шт.
на сумму 350 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN+PNP SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 200mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 1mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
Power Dissipation (Pd) | 200mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 513 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.