MMBTA42, 300V 350mW 200@10mA,10V 500mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
11150 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 2500 шт. —
3.50 руб.
от 3000 шт. —
2.88 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
300V 350mW 100@10mA,10V 300mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 300V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@20mA, 2mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@10mA, 10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
MMBTA42-SOT-23
pdf, 911 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.