FDS6690A
![Фото 1/3 FDS6690A](https://static.chipdip.ru/lib/748/DOC043748619.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/447/DOC004447557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163150.jpg)
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
122 руб.
от 80 шт. —
101.88 руб.
2 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 11А, 2,5Вт, SO8 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 9 ns |
Forward Transconductance - Min | 48 S |
Height | 1.75 mm |
Id - Continuous Drain Current | 11 A |
Length | 4.9 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SO-8 |
Packaging | MouseReel |
Part # Aliases | FDS6690A_NL |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 12.5 mOhms |
Rise Time | 5 ns |
RoHS | Details |
Series | FDS6690A |
Technology | Si |
Tradename | PowerTrench |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
Unit Weight | 0.004586 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 3.9 mm |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 9 ns |
Forward Transconductance - Min: | 48 S |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOIC-8 |
Part # Aliases: | FDS6690A_NL |
Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 16 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.5 mOhms |
Rise Time: | 5 ns |
Series: | FDS6690A |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.246 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 368 КБ
Документация
pdf, 435 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов