IKW30N60DTPXKSA1 IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Фото 1/3 IKW30N60DTPXKSA1 IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
380 руб.
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт. на сумму 11 400 руб.
Плати частями
от 2 850 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8010794064
Артикул: IKW30N60DTPXKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.

Технические параметры

Channel Type N
Energy Rating 1.13mJ
Gate Capacitance 1050pF
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 53 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 200 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Transistors 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Switching Speed 30kHz
Transistor Configuration Single
Вес, г 50.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW30N60DTPXKSA1
pdf, 1541 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем