IKW30N60DTPXKSA1 IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
![Фото 1/3 IKW30N60DTPXKSA1 IGBT, 53 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413695.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171488.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880027.jpg)
380 руб.
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 11 400 руб.
Плати частями
от 2 850 руб. × 4 платежа
от 2 850 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
Channel Type | N |
Energy Rating | 1.13mJ |
Gate Capacitance | 1050pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 53 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 30kHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 50.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW30N60DTPXKSA1
pdf, 1541 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем