SM8S30AHE3_A/I

Фото 1/3 SM8S30AHE3_A/I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
760 руб.
1 шт. на сумму 760 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8010801943

Описание

Электроэлемент
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 8W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified

Технические параметры

Iпи - пиковый импульсный ток 136 A
Pd - рассеивание мощности 8 W
Pppm - пиковое рассеивание мощности 6.6 kW
Vf - прямое напряжение 1.8 V
Другие названия товара № SM8S30ATHE3/I
Категория продукта Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PAR
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение пробоя 33.3 V
Напряжение фиксации 48.4 V
Подкатегория TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Полярность Unidirectional
Рабочее напряжение 30 V
Размер фабричной упаковки 750
Серия SM8S_A
Тип выводов SMD/SMT
Тип продукта ESD Suppressors
Торговая марка Vishay General Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок DO-218AB-2
Diode Configuration Single
Direction Type Uni-Directional
ESD Protection Yes
Maximum Clamping Voltage 48.4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Peak Pulse Current 136A
Maximum Reverse Leakage Current 150µA
Maximum Reverse Stand-off Voltage 30V
Minimum Breakdown Voltage 33.3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DO-218AB
Peak Pulse Power Dissipation 6600W
Pin Count 2
Test Current 5mA
Width 8.7mm
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 119 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 89 КБ
Datasheet SM8S30AHE3/2D
pdf, 89 КБ
Документация
pdf, 99 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Диоды защитные (TVS)»
Типы корпусов импортных диодов