RFP12N10L, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 60Вт, TO220AB
![Фото 1/5 RFP12N10L, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 60Вт, TO220AB](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955478.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/751/DOC021751659.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/322/DOC003322675.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
340 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
1 шт.
на сумму 340 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор полевой RFP12N10L от ONSEMI представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для разнообразных применений благодаря своим THT монтажным характеристикам. Данный транзистор способен обеспечить ток стока до 12 А и выдерживать напряжение сток-исток до 100 В, что делает его надежным выбором для устройств с высокими рабочими напряжениями. Мощность транзистора составляет 60 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,2 Ом, обеспечивает эффективную работу и минимальные потери. Транзистор упакован в прочный корпус TO220AB, который гарантирует долговечность и устойчивость к тепловым нагрузкам. Ищете надежный компонент для вашего проекта? Модель RFP12N10L станет отличным выбором. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 12 |
Напряжение сток-исток, В | 100 |
Мощность, Вт | 60 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.2 |
Корпус | TO220AB |
Технические параметры
Корпус | to220ab | |
Вид | N-MOSFET | |
Монтаж | THT | |
Мощность, Вт | 60 | |
Напряжение сток-исток, В | 100 | |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.2 | |
Тип | полевой | |
Ток стока, А | 12 | |
Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
Максимальный непрерывный ток стока | 12 A | |
Тип корпуса | TO-220AB | |
Максимальное рассеяние мощности | 60 Вт | |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия | |
Ширина | 4.83мм | |
Высота | 9.4мм | |
Размеры | 10.67 x 4.83 x 9.4мм | |
Материал транзистора | Кремний | |
Количество элементов на ИС | 1 | |
Длина | 10.67мм | |
Transistor Configuration | Одинарный | |
Типичное время задержки включения | 15 нс | |
Производитель | ON Semiconductor | |
Типичное время задержки выключения | 100 нс | |
Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Максимальное сопротивление сток-исток | 200 мОм | |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В | |
Число контактов | 3 | |
Категория | Мощный МОП-транзистор | |
Номер канала | Поднятие | |
Типичная входная емкость при Vds | 900 пФ при 25 В | |
Тип канала | N | |
Максимальное напряжение затвор-исток | -10 V, +10 V | |
Id - непрерывный ток утечки | 12 A | |
Pd - рассеивание мощности | 60 W | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 70 ns | |
Время спада | 80 ns | |
Другие названия товара № | RFP12N10L_NL | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 800 | |
Серия | RFP12N10L | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки при включении | 15 ns | |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 12 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 60 W | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220AB | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Material | Si | |
Width | 4.83mm | |
Вес, г | 2.041 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов