PDTD123ET,215, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,5А, 250мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва
12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,5А, 250мВт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 500 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 10 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | PDTD123ET T/R |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Peak DC Collector Current | 500 mA |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Typical Input Resistor | 2.2 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PDTD123ET,215
pdf, 233 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
