IRF7478PBF, Транзистор Nкан 60В (SO-8)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
176 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
190 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8010959929
Артикул: IRF7478PBF
Бренд: Нет торговой марки
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7A I(D), 60V, 0.026OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 7 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 26@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 8 |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 21@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1740@25V |
Typical Output Capacitance - (pF) | 1590 |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
IRF7478PBF Datasheet
pdf, 128 КБ
Документация
pdf, 209 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.