BSS169H6327XTSA1, , силовой МОП-транзистор , N-канал, 100 В, 90 мА, 6 Ом, корпус SOT-23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 руб.
Кратность заказа 100 шт.
100 шт.
на сумму 1 900 руб.
Плати частями
от 475 руб. × 4 платежа
от 475 руб. × 4 платежа
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
МОП-транзистор N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Описание | MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*51*41/15000 | |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. | |
| Id - непрерывный ток утечки | 90 mA | |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW | |
| Qg - заряд затвора | 2.1 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.9 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 2.7 ns | |
| Время спада | 27 ns | |
| Высота | 1.1 mm | |
| Длина | 2.9 mm | |
| Другие названия товара № | BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572 | |
| Канальный режим | Depletion | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Квалификация | AEC-Q101 | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.1 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Продукт | MOSFET Small Signal | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Серия | BSS169 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 11 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 2.9 ns | |
| Торговая марка | Infineon Technologies | |
| Упаковка / блок | PG-SOT-23-3 | |
| Ширина | 1.3 mm | |
| Base Product Number | BSS169 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 170mA (Ta) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Feature | Depletion Mode | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 7V | |
| HTSUS | 8541.21.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | SIPMOSВ® -> | |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50ВµA | |
| Brand | Infineon Technologies | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Configuration | 1 N-Channel | |
| Factory Pack Quantity | 6000 | |
| Fall Time | 27 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 100 mS | |
| Height | 1.1 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 170 mA | |
| Length | 2.9 mm | |
| Manufacturer | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Packaging | Reel | |
| Part # Aliases | BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572 | |
| Pd - Power Dissipation | 360 mW | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 2.8 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.9 Ohms | |
| Rise Time | 2.7 ns | |
| RoHS | Details | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.9 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.9 V | |
| Width | 1.3 mm | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 900 mA | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
BSS169H6327XTSA1
pdf, 397 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1
pdf, 412 КБ
Datasheet BSS169H6327XTSA1
pdf, 396 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
