GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S
![Фото 1/2 GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC017514545.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/700/DOC034700393.jpg)
20 шт. со склада г.Москва
7 940 руб.
от 4 шт. —
7 240 руб.
1 шт.
на сумму 7 940 руб.
Плати частями
от 1 985 руб. × 4 платежа
от 1 985 руб. × 4 платежа
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
Структура модуля | одиночный транзистор |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.