GD300HFY120C6S, IGBT модуль 1.2KV 480A 150DEG C 1.613KW, аналог CM300DX-24T, CM300DX-24T#330G
![Фото 1/4 GD300HFY120C6S, IGBT модуль 1.2KV 480A 150DEG C 1.613KW, аналог CM300DX-24T, CM300DX-24T#330G](https://static.chipdip.ru/lib/715/DOC032715233.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/715/DOC032715236.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/636/DOC004636339.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/790/DOC032790126.jpg)
50 шт. со склада г.Москва
9 990 руб.
от 8 шт. —
9 430 руб.
от 32 шт. —
9 050 руб.
1 шт.
на сумму 9 990 руб.
Плати частями
от 2 499 руб. × 4 платежа
от 2 499 руб. × 4 платежа
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 480А |
DC Ток Коллектора | 480А |
Power Dissipation | 1.613кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 1.613кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Техническая документация
Datasheet GD300HFY120C6S
pdf, 183 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.