VS-25TTS12S
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1 040 руб.
от 2 шт. —
910 руб.
от 5 шт. —
820 руб.
от 9 шт. —
780 руб.
1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Плати частями
от 260 руб. × 4 платежа
от 260 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-263AB
Технические параметры
Automotive | No |
Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | 10 |
Maximum Gate Trigger Current - (mA) | 45 |
Maximum Holding Current - (mA) | 150 |
Military | No |
Operating Temperature - (??C) | -40~125 |
Peak On-State Voltage - (V) | 1.25@16A |
Pin Count | 3 |
Rated Average On-State Current - (A) | 16 |
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | 1200 |
Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | 0.5 |
Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | 1200 |
RMS On-State Current - (A) | 25 |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Surge Current Rating - (A) | 350 |
Вес, г | 1.35 |
Техническая документация
Документация
pdf, 185 КБ
TS106-142
pdf, 141 КБ
Отечественные тиристоры и симисторы мощные
pdf, 515 КБ
Тиристоры отечественные
pdf, 384 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Тиристоры»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров