GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S
![Фото 1/2 GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S](https://static.chipdip.ru/lib/654/DOC017654014.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/848/DOC037848669.jpg)
32 шт. со склада г.Москва
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
66 120 руб.
от 3 шт. —
63 430 руб.
1 шт.
на сумму 66 120 руб.
Плати частями
от 16 530 руб. × 4 платежа
от 16 530 руб. × 4 платежа
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
Структура модуля | одиночный транзистор |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.