IS61WV25616EDBLL-10BLI
![IS61WV25616EDBLL-10BLI](https://static.chipdip.ru/lib/802/DOC027802858.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 750 руб.
от 2 шт. —
1 600 руб.
1 шт.
на сумму 1 750 руб.
Плати частями
от 439 руб. × 4 платежа
от 439 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
Технические параметры
Access Time | 10 ns |
Brand | ISSI |
Factory Pack Quantity | 480 |
Interface Type | Parallel |
Manufacturer | ISSI |
Maximum Operating Temperature | +85 C |
Memory Size | 4 Mbit |
Memory Type | SDR |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Organization | 256 k x 16 |
Package / Case | BGA-48 |
Packaging | Tray |
Product Category | SRAM |
RoHS | Details |
Series | IS61WV25616EDBLL |
Supply Current - Max | 35 mA |
Supply Voltage - Max | 3.6 V |
Supply Voltage - Min | 2.4 V |
Type | Asynchronous |
Access Time: | 10 ns |
Brand: | ISSI |
Factory Pack Quantity: | 480 |
Interface Type: | Parallel |
Manufacturer: | ISSI |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Memory Size: | 4 Mbit |
Memory Type: | SDR |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organization: | 256 k x 16 |
Package / Case: | BGA-48 |
Packaging: | Tray |
Product Category: | SRAM |
Product Type: | SRAM |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 35 mA |
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
Supply Voltage - Min: | 2.4 V |
Type: | Asynchronous |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 567 КБ
Datasheet IS61WV25616EDBLL-8TLI
pdf, 569 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем