2N7002/HAMR, 60V 300mA 2.8 ё@10V,500mA 830mW 2.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
156000 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
7 руб.
от 500 шт. —
5.70 руб.
от 3000 шт. —
5.04 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор 60V N-CHANNEL 300MA TRENCH
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 300 mA |
Pd - рассеивание мощности | 830 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | 934660832215 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 11 ns |
Типичное время задержки при включении | 2.5 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вес, г | 9 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002/HAMR
pdf, 781 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.