WMO10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252
![WMO10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252](https://static.chipdip.ru/lib/605/DOC035605789.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1865 шт., срок 6 недель
190 руб.
от 5 шт. —
150 руб.
от 25 шт. —
118 руб.
от 100 шт. —
93.18 руб.
1 шт.
на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO252 |
Drain current | 8A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | WAYON |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.69Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 57W |
Technology | WMOS™ C2 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 598 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.