RGT20TM65DGC9, IGBTs 650V 10A IGBT Field Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 шт., срок 5-7 недель
820 руб.
от 10 шт. —
690 руб.
от 100 шт. —
494 руб.
от 500 шт. —
376.65 руб.
1 шт.
на сумму 820 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 10А |
Power Dissipation | 25Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220NFM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.