R6035ENZ4C13, MOSFETs 600V 35A TO-247, Low-noise Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 шт., срок 5-7 недель
1 050 руб.
1 шт.
на сумму 1 050 руб.
Плати частями
от 264 руб. × 4 платежа
от 264 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.092Ом |
| Power Dissipation | 379Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | R6xxxENx |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 379Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.092Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet R6035ENZ4C13
pdf, 2110 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
