R6530KNZ4C13, MOSFETs 650V 30A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
![R6530KNZ4C13, MOSFETs 650V 30A TO-247, High-speed switching Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт., срок 5-7 недель
1 800 руб.
от 10 шт. —
1 630 руб.
от 25 шт. —
1 360 руб.
от 100 шт. —
1 082.09 руб.
1 шт.
на сумму 1 800 руб.
Плати частями
от 450 руб. × 4 платежа
от 450 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.125Ом |
Power Dissipation | 305Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | R6xxxKNx |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 30А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 305Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.125Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247G |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6530KNZ4C13
pdf, 1550 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.