AIKQ200N75CP2XKSA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
![AIKQ200N75CP2XKSA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES](https://static.chipdip.ru/lib/098/DOC026098489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 560 руб.
от 10 шт. —
4 400 руб.
от 25 шт. —
4 230 руб.
от 50 шт. —
3 868.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 560 руб.
Плати частями
от 1 390 руб. × 4 платежа
от 1 390 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon Automotive IGBT discrete is an EDT2 IGBT with a co-packed diode in the TO247PLUS package, the EDT2 technology has an extremely tight parameter distribution and a positive thermal coefficient, this enables easy paralleling operation, providing system flexibility and power scalability, and the 750 V EDT technology significantly improves energy efficiency and cooling efforts for high voltage automotive applications by enabling battery voltages up to 470V and safe fast switching due to increased overvoltage margins, thus enabling high performant inverter systems.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 750 V |
Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
Maximum Power Dissipation | 1.07 kW |
Number of Transistors | 3 |
Package Type | TO247PLUS |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1333 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов