AIKQ200N75CP2XKSA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

AIKQ200N75CP2XKSA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 560 руб.
от 10 шт.4 400 руб.
от 25 шт.4 230 руб.
от 50 шт.3 868.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 560 руб.
Плати частями
от 1 390 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8012157857
Артикул: AIKQ200N75CP2XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon Automotive IGBT discrete is an EDT2 IGBT with a co-packed diode in the TO247PLUS package, the EDT2 technology has an extremely tight parameter distribution and a positive thermal coefficient, this enables easy paralleling operation, providing system flexibility and power scalability, and the 750 V EDT technology significantly improves energy efficiency and cooling efforts for high voltage automotive applications by enabling battery voltages up to 470V and safe fast switching due to increased overvoltage margins, thus enabling high performant inverter systems.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 750 V
Maximum Continuous Collector Current 200 A
Maximum Gate Emitter Voltage 15V
Maximum Power Dissipation 1.07 kW
Number of Transistors 3
Package Type TO247PLUS

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1333 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов