R8002KNXC7G, MOSFETs TO220 800V 1.6A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
996 шт., срок 5-7 недель
400 руб.
от 10 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
235 руб.
от 500 шт. —
198.27 руб.
1 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The ROHM R8xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FM |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R8002KNXC7G
pdf, 2353 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
