R6507KNXC7G, MOSFETs 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
![R6507KNXC7G, MOSFETs 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/094/DOC010094698.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
863 шт., срок 5-7 недель
660 руб.
от 10 шт. —
520 руб.
от 100 шт. —
386 руб.
от 250 шт. —
355.86 руб.
1 шт.
на сумму 660 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.605Ом |
Power Dissipation | 46Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | R6xxxKNx |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 7А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.