FS50R12KE3BPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO
![Фото 1/2 FS50R12KE3BPSA1, IGBT Modules LOW POWER ECONO](https://static.chipdip.ru/lib/336/DOC013336008.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/825/DOC044825841.jpg)
31 880 руб.
от 10 шт. —
25 710 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 31 880 руб.
Плати частями
от 7 970 руб. × 4 платежа
от 7 970 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The Infineon EconoPACK 2 1200 V, 50 A six-pack IGBT module with IGBT3 and NTC. Optimized customer’s development cycle time and cost
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 75А |
DC Ток Коллектора | 75А |
Power Dissipation | 270Вт |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack |
Линейка Продукции | EconoPACK 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 270Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 270 W |
Package Type | AG-ECONO2B-311 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 189 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов