RGTV80TK65DGVC11, IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, Built in FRD, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

RGTV80TK65DGVC11, IGBTs 2us Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, Built in FRD, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
450 шт., срок 5-7 недель
1 820 руб.
от 10 шт.1 540 руб.
от 25 шт.1 410 руб.
от 100 шт.1 156.18 руб.
1 шт. на сумму 1 820 руб.
Плати частями
от 455 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8012166941
Артикул: RGTV80TK65DGVC11
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
The ROHM RGTV series field stop trench IGBT with 2 μs short-circuit tolerance and has built in very fast & soft recovery FRD.

Технические параметры

Channel Type N
Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 23 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±30V
Maximum Power Dissipation 85 W
Mounting Type Through Hole
Number of Transistors 1
Package Type TO-3PFM
Pin Count 3
Transistor Configuration Common Emitter

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1257 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.