NCD57090CDWR2G, Gate Drivers Isolated High Current Gate Driver Isolated High Current Gate Driver
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
790 руб.
от 10 шт. —
670 руб.
от 25 шт. —
626 руб.
от 100 шт. —
476.90 руб.
1 шт.
на сумму 790 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
The ON Semiconductor NCD57090 are high−current single channel IGBT/MOSFET gate driver with 5 kVrms internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications.
Технические параметры
| Fall Time | 13ns |
| Output Current | 6.5 A |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Supply Voltage | 22V |
| Gate Driver Type | Isolated |
| IC Case / Package | WSOIC |
| Задержка Выхода | 60нс |
| Задержка по Входу | 60нс |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 1канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Изолированный |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 3.1В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
| Ток истока | 6.5А |
| Ток стока | 6.5А |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet NCD57090CDWR2G
pdf, 1974 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
