STGYA50H120DF2, IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

579 шт., срок 5-7 недель

1 430 руб.

от 10 шт. — 1 200 руб.

от 30 шт. — 1 100 руб.

от 120 шт. — 890.48 руб.

1 шт. на сумму 1 430 руб.

Плати частями
от 359 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8012170480

Артикул: STGYA50H120DF2

Unclassified

The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure.

Configuration	Series
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	535 W
Number of Transistors	1
Package Type	Max247 long leads

pdf, 2176 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем