R8002KND3TL1, MOSFETs TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5322 шт., срок 5-7 недель
440 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
248 руб.
от 500 шт. —
200.44 руб.
1 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 3.5Ом |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | R8xxxKNx |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
