NXH006P120MNF2PTG, MOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 6 mohm SiC MOSFET, 1200 V, Half Bridge 2-PACK, F2 Package

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

63 160 руб.

1 шт. на сумму 63 160 руб.

Плати частями
от 15 790 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8012186838

Артикул: NXH006P120MNF2PTG

Unclassified

The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package.

Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	304 A
Maximum Drain Source Resistance	0.006 Ω
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.3V
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	F2
Pin Count	36
Transistor Material	SiC

pdf, 1800 КБ

Мы рекомендуем