R8003KNXC7G, MOSFETs TO220 800V 3A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 5-7 недель
700 руб.
от 10 шт. —
550 руб.
от 100 шт. —
409 руб.
от 250 шт. —
380.06 руб.
1 шт.
на сумму 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The ROHM R8xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FM |
| Pin Count | 3 |
| Drain Source On State Resistance | 1.5Ом |
| Power Dissipation | 36Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R8003KNXC7G
pdf, 2270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
