FP50R12KT4B11BPSA1, IGBT Modules N

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

30 350 руб.

от 10 шт. — 25 020 руб.

от 30 шт. — 24 130 руб.

1 шт. на сумму 30 350 руб.

Плати частями
от 7 589 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8012194836

Артикул: FP50R12KT4B11BPSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

SP005422424, FP50R12KT4_B11

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	50А
DC Ток Коллектора	50А
Power Dissipation	280Вт
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции	EconoPIM 2
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Максимальная Температура Перехода Tj	150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Рассеиваемая Мощность	280Вт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	280 W
Package Type	AG-ECONO2B-411
Вес, г	1

pdf, 828 КБ

Мы рекомендуем