IRFR120NTR, TO-252 MOSFETs ROHS
![IRFR120NTR, TO-252 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10945 шт., срок 6-8 недель
29 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
26 руб.
от 150 шт. —
24 руб.
от 500 шт. —
21.57 руб.
10 шт.
на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.21 Ом/5.6A, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
Крутизна характеристики, S | 2.7 | |
Корпус | dpak | |
кол-во в упаковке | 2500 | |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRFR120N
pdf, 511 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.