GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50
![Фото 1/2 GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50](https://static.chipdip.ru/lib/799/DOC021799434.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/142/DOC032142926.jpg)
97 шт. со склада г.Москва
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
27 310 руб.
от 8 шт. —
26 200 руб.
от 14 шт. —
26 196 руб.
1 шт.
на сумму 27 310 руб.
Плати частями
от 6 829 руб. × 4 платежа
от 6 829 руб. × 4 платежа
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 650 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Вес, г | 200 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 192 КБ
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.