IS66WVE2M16EBLL-70BLI

IS66WVE2M16EBLL-70BLI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 610 руб.
от 2 шт.1 510 руб.
1 шт. на сумму 1 610 руб.
Плати частями
от 404 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8013334130

Описание

Электроэлемент
Описание Модули памяти

Технические параметры

Access Time 70 ns
Brand ISSI
Factory Pack Quantity 480
Interface Type Parallel
Manufacturer ISSI
Maximum Operating Temperature +85 C
Memory Size 32 Mbit
Memory Type SDR
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Organization 2 M x 16
Package / Case mBGA-48
Product Category SRAM
RoHS Details
Series IS66WVE2M16EBLL
Supply Current - Max 30 mA
Supply Voltage - Max 3.6 V
Supply Voltage - Min 2.7 V
Type Asynchronous
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format PSRAM
Memory Interface Parallel
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 48-TFBGA (6x8)
Technology PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 70ns
Access Time: 70 ns
Brand: ISSI
Factory Pack Quantity: 480
Interface Type: Parallel
Manufacturer: ISSI
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 32 Mbit
Memory Type: SDR
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organisation: 2 M x 16
Package/Case: TFBGA-48
Product Category: SRAM
Product Type: SRAM
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 30 mA
Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Type: Asynchronous

Техническая документация

Datasheet
pdf, 860 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем