2N7002KDW_R1_00001, 60V 115mA 200mW 3 ё@10V,500mA 2.5V@250uA N Channel SC-70-6(SOT-363) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9450 шт., срок 6-8 недель

9 руб.

Кратность заказа 50 шт.

от 150 шт. — 7 руб.

от 500 шт. — 6.10 руб.

от 3000 шт. — 5.32 руб.

50 шт. на сумму 450 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8013337699

Артикул: 2N7002KDW_R1_00001

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Manufacturer	PANJIT
Brand:	Panjit
Channel Mode:	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Forward Transconductance - Min:	100 mS
Id - Continuous Drain Current:	115 mA
Manufacturer:	Panjit
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	2 Channel
Package / Case:	SOT-363-6
Pd - Power Dissipation:	200 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	800 pC
Rds On - Drain-Source Resistance:	3 Ohms
Series:	NFET-035TS
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	40 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Continuous Drain Current (Id)	115mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	3Ω@10V, 500mA
Drain Source Voltage (Vdss)	60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	35pF@25V
Power Dissipation (Pd)	200mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	800pC@4.5V
Type	1PCSNChannel
Вес, г	4

pdf, 329 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем