VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2800 шт. со склада г.Москва
61 руб.
от 100 шт. —
23 руб.
1 шт.
на сумму 61 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 5.2A | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 27W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 3.2A,10V | |
| Transistor Polarity | P Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA | |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V, 3.2A | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| Power Dissipation (Pd) | 27W | |
| Type | 1PCSPChannel | |
| Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet VB2658
pdf, 1147 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
