Z0109NN0,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q

Z0109NN0,135, Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2544 шт., срок 6 недель
91 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт.39 руб.
от 100 шт.34 руб.
от 500 шт.26.14 руб.
3 шт. на сумму 273 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8013557233
Артикул: Z0109NN0,135

Описание

High Voltage NEC 600V+ Circuit Protection

Технические параметры

Brand: WeEn Semiconductors
Factory Pack Quantity: 4000
Gate Trigger Current - Igt: 10 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 1 V
Holding Current Ih Max: 10 mA
Manufacturer: WeEn Semiconductors
Maximum Operating Temperature: +125 C
Mounting Style: SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current: 13.8 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 500 uA
On-State RMS Current - It RMS: 1 A
On-State Voltage: 1.3 V
Package/Case: SOT-223-4
Part # Aliases: 934065057135
Product Category: Triacs
Product Type: Triacs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 800 V
Subcategory: Thyristors
Вес, г 0.14

Техническая документация

Datasheet Z0109NN0.135
pdf, 288 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Симисторы»

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.