G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
![Фото 1/2 G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт](https://static.chipdip.ru/lib/487/DOC047487353.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC035389187.jpg)
844 шт., срок 6 недель
2 560 руб.
от 5 шт. —
2 070 руб.
от 25 шт. —
1 760 руб.
от 100 шт. —
1 529.98 руб.
1 шт.
на сумму 2 560 руб.
Плати частями
от 640 руб. × 4 платежа
от 640 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Case | TO263-7 |
Drain current | 6A |
Drain-source voltage | 1.7kV |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
Gate charge | 18nC |
Gate-source voltage | -5…15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.45Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 91W |
Pulsed drain current | 16A |
Technology | G3R™, SiC |
Type of transistor | N-MOSFET |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.45Ом |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
Непрерывный Ток Стока | 9А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
Рассеиваемая Мощность | 91Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Вес, г | 1.38 |
Техническая документация
Datasheet G3R450MT17J
pdf, 1137 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.