IGW15T120FKSA1, 1200V 30A 110W TO247

IGW15T120FKSA1, 1200V 30A 110W TO247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 020 руб.
от 10 шт.770 руб.
1 шт. на сумму 1 020 руб.
Плати частями
от 255 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8013688845
Артикул: IGW15T120FKSA1

Описание

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology.

Технические параметры

Channel Type N
Energy Rating 4.1mJ
Gate Capacitance 1100pF
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 30 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 110 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 6.12

Техническая документация

Datasheet
pdf, 357 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов