NTE2387, Power Mosfet N-channel 800V Id=4A TO-220 Case High Speed Switch Enhancement Mode Rds=3 Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт., срок 6 недель
3 950 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 19 750 руб.
Плати частями
от 4 939 руб. × 4 платежа
от 4 939 руб. × 4 платежа
Описание
Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,6А, Idm: 16А, 125Вт, ТО220 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220 |
| Drain current | 2.6A |
| Drain-source voltage | 800V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 3Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 125W |
| Pulsed drain current | 16A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 58 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
