NTE2970, Power Mosfet N-channel 500V Id=22A TO-3P Case High Speed Switch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт., срок 6 недель
4 770 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 23 850 руб.
Плати частями
от 5 964 руб. × 4 платежа
от 5 964 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 13,4А, Idm: 88А, 278Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 13.4A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.25Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 278W |
| Pulsed drain current | 88A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 60 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
